| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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HUF75309P3 |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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HUF75309P3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB 包装数量：400 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：55V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：19A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 25V 功率 - 最大值：55W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 矩形A1CXA-3436M 旋转 - 对数EVU-E3KFK4D14 芯片电阻 - 表面RL0510S-150-F 圆形 - 外壳ACT90MG41PA-LC 单二极管/齐纳BZX84-C2V7,235 薄膜电容器PVC1623 PMIC - 稳压LX8584A-00CP DC DC ConRPP40-4812DW-1B Card EdgeEEM24DREN 铝电容器EEE-FP1V220AR |
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